長年、III族窒化物半導体、III族セスキ酸化物半導体のエピタキシャル成長技術の研究開発に従事。特に、HVPEをはじめとするバルク結晶成長、エピタキシャル成長を専門とし、大手基板製造企業数社へのコンサルティング業務経験あり。

コンサルティング可能な内容・各種半導体材料の気相成長技術

・GaN、AlN、InN、InGaN、AlGaNのHVPE/THVPE成長技術

・Ga2O3、Al2O3、およびそれらの混晶半導体

・その他、新規材料の原料探索シミュレーション

・反応管構造設計

・半導体製造プロセス

・結晶加工・研磨技術

・最適分析手法提案

回窒化物半導体の結晶成長・デバイス作製の研究開発に10年以上の実績を持つ。特に、有機金属気相成長（MOVPE)による可視光～深紫外線領域のLED、AlGaN/GaN HEMT、AlNベースHEMTの結晶成長を得意とし、そのデバイスプロセス技術を有する。多種多様な面方位（金属面、N面、無極性面、半極性面）の経験も豊富。ハイドライド気相成長（HVPE)による超高品質GaN基板成長の経験があり、基板→結晶成長→デバイスプロセスの半導体デバイスに精通している。装置設計・結晶成長・デバイスプロセスコンサルティング業務経験あり。

 

コンサルティング可能な内容

・GaN、InGaN、AlN、AlGaNのMOVPE

・GaNのHVPE成長

・窒化物半導体ベースLED/LD、HEMTのデバイスシミュレーション

・LED、HEMTのデバイス評価（XRD、PL、各種電気的特性評価）

・MOVPE/HVPE装置設計

・LED、HEMTデバイス作製に関する各種プロセス装置（フォトリソグラフィー、EB蒸着、スパッタ、プラズマCVD、反応性イオンエッチング、各種薬品処理、透明電極（ITO)、高速アニール装置）