長年、III族窒化物半導体、III族セスキ酸化物半導体のエピタキシャル成長技術の研究開発に従事。特に、HVPEをはじめとするバルク結晶成長、エピタキシャル成長を専門とし、大手基板製造企業数社へのコンサルティング業務経験あり。
コンサルティング可能な内容・各種半導体材料の気相成長技術
・GaN、AlN、InN、InGaN、AlGaNのHVPE/THVPE成長技術
・Ga2O3、Al2O3、およびそれらの混晶半導体
・その他、新規材料の原料探索シミュレーション
・反応管構造設計
・半導体製造プロセス
・結晶加工・研磨技術
・最適分析手法提案
得意分野 | |
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コンサルティング可能な内容
・GaN、InGaN、AlN、AlGaNのMOVPE
・GaNのHVPE成長
・窒化物半導体ベースLED/LD、HEMTのデバイスシミュレーション
・LED、HEMTのデバイス評価(XRD、PL、各種電気的特性評価)
・MOVPE/HVPE装置設計
・LED、HEMTデバイス作製に関する各種プロセス装置(フォトリソグラフィー、EB蒸着、スパッタ、プラズマCVD、反応性イオンエッチング、各種薬品処理、透明電極(ITO)、高速アニール装置)
得意分野 | |
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